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R&D

GLOBAL TOP-TIER PARTNER, NEPES

To provide high functional materials
to next generation nano-device

Negative Photoresist

Negative Thick photoresist for Wafer Level Package - RDL, CPB

Negative Photoresist
  • Cu RDL (Redistribution Layer)

    PR pattern
    PR pattern
    Cu RDL
    Cu RDL
  • CPB (Cu Pillar Bump)

    PR pattern
    PR pattern
    CPB
    CPB
  • Polymer 및 formulation 디자인 기술 확보
  • 우수한 pattern profile (no footing, no under-cut)
  • 우수한 공정 마진
  • 빠른 공정 속도
  • 높은 해상도 및 종횡비
  • 뛰어난 내도금성
Positive Photoresist

Positive Thick photoresist for TSV, CPB

Positive Photoresist
  • TSV (Trough Silicon Via)

    PR pattern
    PR pattern
    Plating
    Plating
  • CPB (Cu Pillar Bump)

    PR pattern
    PR pattern
    Plating
    Plating
  • Tall Pillar

    PR pattern
    PR pattern
  • 자체 폴리머 설계 및 조성 최적화
  • 좋은 pattern profile (no footing, no under-cut)
  • 뛰어난 스트립성 (PR 잔사 無)
  • 고해상력 / 높은 종횡비
  • 넓은 공정 마진
  • 우수한 내화학성 및 내도금성
Photo-definable Dielectiric

Photo-definable dielectric for advanced package

Photo-definable Dielectiric
Photo-definable Dielectiric
  • NDP-Series는 bumping 공정에서 다양한 보호/ 절연층으로 사용
  • Soluble Polyimide backbone : 초저온 경화, 초저수축율 구현
PR Stripper
PR Stripper
PR Stripper
  • 도금 범핑 공정을 통해 범프의 바닥 패턴을 만드는 데 사용된 PR층을 제거하는 공정에 사용
  • 공정 Type에 따른 수계, 유기계 선택 가능
  • Low Metal Damage (Cu, Ni, Sn, Ag, Al)
  • PR 종류, 두께에 따른 Strip 성능 구현 가능
Cu / Ti Etchant
Cu / Ti Etchant
Cu / Ti Etchant
Cu Etchant
  • 첨가제를 통한 Etch Uniformity 및 선택적 식각력 향상
  • 광범위한 Etch Control 가능 (30Å/s~200Å/sec)
  • Low Metal Damage (Ag, Sn, Ni, EP-Cu)
Ti Etchant
  • 비불화물 계열로 Ti, Ti/W 의 선택적 식각이 우수
  • H₂O₂ 혼합 비율에 의한 Etch Rate Control이 가능 (5Å/s ~ 22Å/sec)
Au Etchant
Au Etchant
Au Etchant
  • 요오드 계열의 식각액으로 Au metal에 대한 선택적 에칭이 용이함
  • Low Metal Damage (Al)
  • 우수한 소재안정성 확보 Etch Uniformity 우수 누적매수, lifetime 우수